КП507А (BSS315) кремнієві епітаксійно-планарні польові транзистори з ізольованим затвором і n-канал

Name: КП507А (BSS315) кремнієві епітаксійно-планарні польові транзистори з ізольованим затвором і n-канал
Brand: Интеграл
SKU: 000937212
Price: 40 UAH
Availability: OutOfStock

0 відгуків

Артикул: 000937212

Немає в наявності

Характеристики КП507А (BSS315) кремнієві епітаксійно-планарні польові транзистори з ізольованим затвором і n-канал

Виробник	Интеграл
Матеріал корпусу	Пластик
Тип монтажу	Ручний монтаж
Тип транзистора	Польовий
Максимально допустима напруга стік-витік	240 В
Максимально допустима напруга затвор-витік	10 В
Исполнение	Дискретное
описание производителя	скачать PDF
Страна происхождения	Беларусь

Опис КП507А (BSS315) кремнієві епітаксійно-планарні польові транзистори з ізольованим затвором і n-канал

КП507А, Кремнієві епітаксиально-планарні транзистори з ізольованим затвором і n-каналом (TO-92)

Умовне позначення транзистора КП507A Корпус: TO-92 (КТ-26).

КП507А Кремнієві епітаксиально-планарні польові транзистори з ізольованим затвором і n-каналом. КП507A призначено для використання у джерелах вторинного електропостачання з безтрансформаторним вхідом, у регуляторах, стабілізаторах з безперервним імпульсним управлінням, блоках живлення ЕВМ, схемах керування електричними двигунами та іншої радіоелектроночної апаратури, що виготовляється для народного господарства. Позначення технічних умов: АДБК.432140.691 ТУ. Корпусне виконання: пластмасовий корпус КТ-26 (ТО-92). Аналог: BS315.

Характеристики полячих МОП транзисторів з ізольованим затвором і каналом n-типу КП507А:

Тип Польовий транзистор	Р МАКС	Переднє значення параметра при T=25 °C	Значення параметра T=25 °C	Т ОКР
UСИ МАКС	UЗС МАКС	UЗІ МАКС	IС МАКС	UЗАВДЯКИ	RСИ відк	IЗ УТ	S	IС ОСТ	C11И	C12И	C22И	tувімкнено	tвыкл
Вт	В	В	В	А	В	Ом	нА	А/В	мкА	пФ	пФ	пФ	нс	нс	°С
КП507А	1,0	50	-	±20	1,1	-	<0,8	±100	>0,25	<1,0	<400	<130	<230	-	-	-55...+125

Умовні позначення електричних параметрів транзисторів: • Р МАКС - максимально коректна постійна потужність польового транзистора. • UСИ МАКС - максимально коректна напруга сток-висток. • UЗС МАКС - максимально коректна напруга затвор-сток. • UЗІ МАКС - максимально коректна напруга затвор-виток. • IС МАКС - максимально коректний струм стока польового транзистора. • UЗАВДЯКИ - Напруження відсічки польового транзистора. Напруження між затвором і витоком транзистора з p-n перехідом або з ізольованим затвором, що працює в режимі знежирення, при якому струм стока досягає визначеного низького значення. • g22И - активна складова вихідної участі польового транзистора в схемі з загальним витоком. • RСИ відк - проти сток-виток у відкритому стані польового транзистора. Спротив між стоком і витоком у відкритому стані транзистора при визначеному напруженні сток-висток, меншому напруженні насичення. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвору при визначеному напруженні між затвором і рештою виводами, замкненими між собою. • S - Чудова характеристика польового транзистора. Ставлення зміни струму до зміни напруження на затворі при короткому замиканні по змінному струму на виході транзисторів у схемі з загальним витоком. • IС НАЧ - Начальний струм стока. Ток стока при напруженні між затвором і витоком, рівним нулю, і при напруженні на стоці, рівному або перевищенні насиченості. • C11И - Вхідна місткість польового транзистора. Комкість між затвором і витоком при короткому замиканні по змінному току на виході з загальним витоком. • C12И - Прохідна місткість польового транзистора. Ємкість між затвором і стоком при короткому замикання по змінному струму на вході в схемі з загальним витоком. • C22И - Вихідний місткість польового транзистора. Ємкість між стоком і витоком при короткому замиканні по змінному струму на вході в схемі з загальним витоком. • tувімкнено - Час включення польового транзистора. • tвыкл - Час вимкнення польового транзистора. • Т ОКР - Температура довкілля.