МП39Б Транзистори германієві сплавні p-n-p підсилювальні низькочастотні. Ni

МП39Б Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным МП39 и нормированным на частоте 1 кГц МП39Б коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: аА0.336.635ТУ. Основные технические характеристики транзистора МП39Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 12 дБ на частоте 1 кГц

Технические характеристики транзисторов МП39, МП39Б:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. • Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • Uкб - напряжение коллектор-база транзистора. • UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Iэ - ток эмиттера транзистора. • Iк - постоянный ток коллектора транзистора. • Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • fгр- граничная частота коэффициента передачи тока. • fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.