Маркетплейс твоей Страны
П307 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni
В наличии
Код:000937210
Самовывоз из отделения Meest ПОЧТАПо тарифам перевозчика
Самовывоз из отделения УкрпочтыПо тарифам перевозчика
Самовывоз из магазина продавцаПо тарифам перевозчика
Доставка курьером Новой ПочтыПо тарифам перевозчика
Самовывоз из отделения Новой ПочтыПо тарифам перевозчика
Характеристики П307 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni
| Производитель | |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
Описание П307 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni
П307 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni
П307 Транзисторы П307 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводися на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ.
Технические характеристики транзисторов П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК. макс. | IК. и. макс. | UКБО макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс | h21э | UКБ | IЭ | UКЭ нас. | IКБО | fгp. | ||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
| П307 | n-p-n | 30 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 16...50 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307А | n-p-n | 30 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 30...90 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307Б | n-p-n | 15 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 50...150 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307В | n-p-n | 30 | 120 | 60 | 60 | 3 | 250 | 50...150 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
| П307Г | n-p-n | 15 | 120 | 80 | 80 | 3 | 250 | 16...50 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. • UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Uэбо макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • Uкб - напряжение коллектор-база транзистора. • Iэ - ток эмиттера транзистора. • Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
