FQP19N20C 200V N-Channel Advance Q-FET C-Series
Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта
| Производитель : | Fairchild Semiconductor | |
| Категория продукта : | МОП-транзистор | |
| |
| Полярность транзистора : | N-канал | |
| Сток-исток Напряжение пробоя : | 200 В | |
| Затвор-исток Напряжение пробоя : | + / ― 30 В | |
| Непрерывный ток стока : | 19 | |
| Сток-исток Сопротивление : | 170 мОм | |
| |
| Максимальная рабочая температура : | + 150 C | |
| Монтажа : | Сквозное отверстие | |
| Упаковка / блок : | К-220AB | |
| |
| |
| Крутизна в прямом направлении ― Мин : | 10.8 S | |
| Минимальная рабочая температура : | - 55 C | |
| Рассеиваемая мощность : | 139 Вт | |
| Время нарастания : | 150 нс | |
| |
| |
| Типичный задержки выключения Время : | 135 нс | |
| Другие названия товара No : | FQP19N20C_NL | |
Features • 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40.5 nC) • Low Crss ( typical 85 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability