ГТ308Б транзистори германієві дифузійно-сплавні структури p-n-p універсальні .(h21э =50...120) Ni

ГТ308Б Транзисторы ГТ308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,2 г. Технические условия: ЩП3.365.009 ТУ. Основные технические характеристики транзистора ГТ308Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В); • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В, ГТ308Г:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора. • UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора. • IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора. • IК - постоянный ток коллектора транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБ0 - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • fгр - граничная частота коэффициента передачи тока. • fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. • КШ - коэффициент шума транзистора. • Т - максимально допустимая температура окружающей среды.