Маркетплейс твоєї Країни
Характеристики КТ605Бм транзистор NPN (0,1А 250В) 2,8W (ТО126)
Виробник | |
Матеріал корпусу | Пластик |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Максимальна потужність розсіювання | 5 Вт |
Тип транзистора | Біполярний |
Тип біполярного транзистора | N-P-N |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 300 В |
Максимально допустимий струм колектора | 0.5 А |
Исполнение | Дискретное |
Страна происхождения | СССР |
Опис КТ605Бм транзистор NPN (0,1А 250В) 2,8W (ТО126)
КТ605Бм транзистор NPN (0,1А 250В) 2,8W (ТО126)
Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Кш, Дб |
n-p-n | - | ||||||||
КТ605БМ | 250 | 300 | 75(500) | 0.85(2.8) | 50-200 | 70 | 30 | - |
Корпус:
Uкбо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
Uкбои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
Uкэо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
Uкэои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
Iкmax | - Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
Iкmax и | - Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
Pкmax | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
Pкmax т | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
h21э | - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
Iкбо | - Обратный ток коллектора |
fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
Кш | - коэффициент шума биполярного транзистора |
КТ602БМ Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. Транзисторы: - 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, - 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ ― не более 1 г. Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max ― Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; • Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк ― Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс