КТ3102Ам транзистор NPN (200мА 50В) (h21э: 100-200) 0,2W (ТО92)

Артикул: 000935868

є в наявності

Характеристики КТ3102Ам транзистор NPN (200мА 50В) (h21э: 100-200) 0,2W (ТО92)

Виробник Ама
Матеріал корпусу Пластик
Тип монтажу Ручний монтаж
Тип транзистора Біполярний
Тип біполярного транзистора N-P-N
Максимально допустима напруга колектор-емітер 50 В
Максимально допустимий струм колектора 0.2 А
Страна происхожденияСССР
Техническое описаниескачать PDF в спецификации

Опис КТ3102Ам транзистор NPN (200мА 50В) (h21э: 100-200) 0,2W (ТО92)

КТ3102Ам транзистор NPN (200мА 50В) (h21э: 100-200) 0,2W (ТО92)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб
КТ3102АМ n-p-n 50 50 100(200) 0.25 100-200 0.05 150 10
КТ3102БМ 50 50 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 10
КТ3102ВМ 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 10
КТ3102ГМ 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 10
КТ3102ДМ 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 4
КТ3102ЕМ 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 4
КТ3102ЖМ 20 20 100(200) 0.25 100-250 0.05 150 -
КТ3102ИМ 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 -
КТ3102КМ 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 -

Корпус:

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш - коэффициент шума биполярного транзистора
Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб
КТ3102А n-p-n 50 50 100(200) 0.25 100-200 0.05 150 10
КТ3102Б 50 50 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 10
КТ3102В 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 10
КТ3102Г 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 10
КТ3102Д 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 4
КТ3102Е 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 4
КТ3102Ж 20 20 100(200) 0.25 100-250 0.05 150 -
КТ3102И 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 -
КТ3102К 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 -

Корпус:

Відгуки КТ3102Ам транзистор NPN (200мА 50В) (h21э: 100-200) 0,2W (ТО92)