КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,3W (ТО92)

Артикул: 000938055

є в наявності

Характеристики КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,3W (ТО92)

Виробник Без бренду
Матеріал корпусу Пластик
Тип монтажу Ручний монтаж
Тип транзистора Біполярний
Тип біполярного транзистора P-N-P
Максимально допустима напруга колектор-емітер 40 В
Максимально допустимий струм колектора 0.2 А
Коефіцієнт шуму 10 дБ
ИсполнениеДискретное
Техническое описаниескачать PDF в спецификации

Опис КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,3W (ТО92)

КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,3W (ТО92)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб
КТ502А p-n-p 40 25 150(350) 0.35 40-120 1 350 -
КТ502Б 40 25 150(350) 0.35 80-240 1 350 -
КТ502В 60 40 150(350) 0.35 40-120 1 350 -
КТ502Г 60 40 150(350) 0.35 80-240 1 350 -
КТ502Д 80 60 150(350) 0.35 40-120 1 350 -
КТ502Е 90 80 150(350) 0.35 40-120 1 350 -

Корпус:

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш - коэффициент шума биполярного транзистора

Відгуки КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,3W (ТО92)