КТ646Б, Транзистор NPN, високочастотний, середньої потужності, TO-126 (КТ-27)

Корпус:

КТ646Б Транзистори КТ646Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n швидкодійні, високовольтні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти, імпульсних і перемикальних пристроях. Використовуються для роботи в електронній апаратурі загального призначення. Випускаються в пластмасовому корпусі з жорсткими виведеннями. Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора. Маса транзизора не більш ніж 1,0 г. Тип корпусу: КТ-27-2 (TO-126). Вид кліматичного виконання: «УХЛ2.1» за ГОСТом 15150-69. Категорія якості: «ОТК». Технічні умови: — приймання «1» АА0.336.334ТУ. Імпортний аналог: YTS2222A, 2SC1007, MMST3904. Основні технічні характеристики транзизора КТ646Б: • Структура транзизора: n-p-n; • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 1 Вт; • fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним емітером: не менш ніж 250 МГц; • Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 40 В; • Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 10 мкА (40В); • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: 150... 200; • Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 10 ПФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 1,2 Ом; • tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 120 пс

Технічні характеристики транзисторів КТ646А, КТ646Б, КТ646В:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів: • IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора. • IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора. • UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер. • UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю. • UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю. • UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори. • РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням. • h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора. • UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора. • IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер. • f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • СК - ємність колекторного переходу. • СЭ - ємність колекторного переходу. • ТП max - максимально допустима температура переходу. • Т max — максимально допустима температура довкілля.